Bilder

  • REM-Aufnahme eines Templats für Einzelnanopartikeltransistoren mit einer Kanallänge von ca. 80nm

REM_ZnO_EPT_ICA_Al_1000x_Glass_klein

  • Inverterschaltungen mit ZnO-Nanopartikeln auf Glassubstrat

SNC00240c_klein

  • Inverter und Dünnfilmtransistoren mit ZnO-Nanopartikeln auf Glassubstrat

Glaswafer_ZnOTFT_klein

  • Kennlinien eines Inverters mit Transistorlast; bei den Transistoren handelt es sich um TFT mit ZnO-Nanopartikeln

Inverter_klein

  • Transfer- und Ausgangskennlinienfelder eines ZnO-Nanopartikeldünnfilmtransistors

Kennlinien_ZnOTFT_klein

  • Crystalline silicon structure with 80 nm width at the top and about 800 nm height

Cryst_Si_1_Thumb

  • 60 nm polysilicon gate structure with the nitride mask on top

Poly_Si_1_Thumb

  • At left a cross section of an oxide structure of 30 nm width on top of a silicon wafer, right top the oxide rings, and right bottom, cross section of an oxide ring structure on silicon substrate

Wafer_Si_1_Thumb

  • Aluminum line, structured by deposition of PECVD layers

Alu_line_Thumb

  • Nanometer scale tungsten line on a 40 nm thick silicon oxide film

SiO_Thumb

  • MoSi2 line with an oxide mask still on top

MoSi_Thumb

  • TiN line with an oxide mask still on top. The front end of the line is modified by thermal heating of the electron beam in the microscope Nanostructures printed in resist by imprint technique

TiN_Thumb